رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDMC8010DC
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDMC8010DC-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 37A 8PQFN
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 37A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount 8-PQFN (3.3x3.3)
المخزون:
2001 قطع جديدة أصلية في المخزون
12837420
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDMC8010DC المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
37A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.28mOhm @ 37A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
94 nC @ 15 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
7080 pF @ 15 V
ميزة FET
Standard
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-PQFN (3.3x3.3)
العبوة / العلبة
8-PowerWDFN
رقم المنتج الأساسي
FDMC8010
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
FDMC8010DCOSDKR
FDMC8010DC-DG
2832-FDMC8010DCTR
FDMC8010DCOSTR
FDMC8010DCOSCT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FDPF10N60NZ
MOSFET N-CH 600V 10A TO220F
FDS3512
MOSFET N-CH 80V 4A 8SOIC
FDD6688
MOSFET N-CH 30V 84A DPAK
