رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDMC86184
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDMC86184-DG
وصف:
MOSFET N-CH 100V 57A 8PQFN
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 57A (Tc) 54W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (3.3x3.3)
المخزون:
920 قطع جديدة أصلية في المخزون
12850791
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDMC86184 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
57A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
6V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
8.5mOhm @ 21A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 110µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
20 nC @ 6 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2090 pF @ 50 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
54W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-PQFN (3.3x3.3)
العبوة / العلبة
8-PowerWDFN
رقم المنتج الأساسي
FDMC86
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
FDMC86184DKR
FDMC86184CT
FDMC86184TR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FCP125N65S3
MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3
AON6204
MOSFET N-CH 30V 14A/24A 8DFN
HUFA75637S3S
MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK
