FDMC8878_F126
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FDMC8878_F126

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FDMC8878_F126-DG

وصف:

MOSFET N-CH 30V 9.6A/16.5A 8MLP
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 9.6A (Ta), 16.5A (Tc) 2.1W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)

المخزون:

طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12847808
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

FDMC8878_F126 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
9.6A (Ta), 16.5A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
14mOhm @ 9.6A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1230 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.1W (Ta), 31W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-MLP (3.3x3.3)
العبوة / العلبة
8-PowerWDFN
رقم المنتج الأساسي
FDMC88

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
FDMC8878 Datasheet

معلومات إضافية

الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
FDMC8878_F126CT
FDMC8878_F126DKR
FDMC8878_F126TR

التصنيف البيئي والتصدير

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

نماذج بديلة

رقم الجزء
FDMC8878
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
6381
DiGi رقم الجزء
FDMC8878-DG
سعر الوحدة
0.46
نوع الاستبدال
Direct
شهادة ديجي
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
المنتجات ذات الصلة
onsemi

NTB85N03

MOSFET N-CH 28V 85A D2PAK

onsemi

FQD6P25TF

MOSFET P-CH 250V 4.7A DPAK

onsemi

FDB8444-F085

MOSFET N-CH 40V 70A TO263AB

onsemi

FQA11N90C-F109

MOSFET N-CH 900V 11A TO3P