رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDMD8240L
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDMD8240L-DG
وصف:
MOSFET 2N-CH 40V 23A 12POWER
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 40V 23A 2.1W Surface Mount 12-Power3.3x5
المخزون:
8147 قطع جديدة أصلية في المخزون
12845253
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDMD8240L المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Active
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET
-
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
40V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
23A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
2.6mOhm @ 23A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
56nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
4230pF @ 20V
الطاقة - الحد الأقصى
2.1W
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
12-PowerWDFN
حزمة جهاز المورد
12-Power3.3x5
رقم المنتج الأساسي
FDMD8240
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
FDMD8240LCT
FDMD8240L-DG
FDMD8240LTR
FDMD8240LDKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
AO9926BL_101
MOSFET 2N-CH 20V 7.6A 8SOIC
AO4803L
MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC
AO4616L_102
MOSFET N/P-CH 30V 8A/7A 8SOIC
