FDMD86100

رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FDMD86100

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FDMD86100-DG

وصف:

MOSFET 2N-CH 100V 10A 8PWR 5X6

وصف تفصيلي:

Mosfet Array 100V 10A 2.2W Surface Mount 8-Power 5x6

المخزون:

1093 قطع جديدة أصلية في المخزون

12848017

طلب عرض سعر

الكمية
الحد الأدنى 1

(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة

إرسال

FDMD86100 المواصفات الفنية

فئة

ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET

المُصنّع

onsemi

تعبئة

Tape & Reel (TR)

سلسلة

PowerTrench®

حالة المنتج

Last Time Buy

التقنية

MOSFET (Metal Oxide)

تكوين

2 N-Channel (Dual) Common Source

ميزة FET

-

استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)

100V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية

10A

Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs

10.5mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف

4V @ 250µA

شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

30nC @ 10V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

2060pF @ 50V

الطاقة - الحد الأقصى

2.2W

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

العبوة / العلبة

8-PowerWDFN

حزمة جهاز المورد

8-Power 5x6

رقم المنتج الأساسي

FDMD86

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

مخططات البيانات

ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية

3,000

اسماء اخرى

FDMD86100CT

FDMD86100TR

FDMD86100DKR

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS

ROHS3 Compliant

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)

1 (Unlimited)

حالة الوصول

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

شهادة ديجي

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

المنتجات ذات الصلة

FDC6561AN

MOSFET 2N-CH 30V 2.5A SSOT6

onsemi

FDMA6023PZT

MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 6MICROFET

alpha-and-omega-semiconductor

AO7600_001

MOSFET N/P-CH 20V 0.9A SC70-6

alpha-and-omega-semiconductor

AON7932_101

MOSFET 2N-CH 30V 6.6A/8.1A 8DFN