رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDME1023PZT
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDME1023PZT-DG
وصف:
MOSFET 2P-CH 20V 2.6A 6MICROFET
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 20V 2.6A 600mW Surface Mount 6-MicroFET (1.6x1.6)
المخزون:
8483 قطع جديدة أصلية في المخزون
12839820
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDME1023PZT المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Active
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 P-Channel (Dual)
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
2.6A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
142mOhm @ 2.3A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
7.7nC @ 4.5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
405pF @ 10V
الطاقة - الحد الأقصى
600mW
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
6-UFDFN Exposed Pad
حزمة جهاز المورد
6-MicroFET (1.6x1.6)
رقم المنتج الأساسي
FDME1023
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
5,000
اسماء اخرى
FDME1023PZTDKR
FDME1023PZTTR
FDME1023PZT-DG
FDME1023PZTCT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
EFC6618R-A-TF
MOSFET 2N-CH EFCP
ECH8619-TL-E
MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A 8ECH
FDMJ1023PZ
MOSFET 2P-CH 20V 2.9A SC75
