FDME910PZT

رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FDME910PZT

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FDME910PZT-DG

وصف:

MOSFET P-CH 20V 8A MICROFET

وصف تفصيلي:

P-Channel 20 V 8A (Ta) 2.1W (Ta) Surface Mount MicroFet 1.6x1.6 Thin

المخزون:

طلبات الأسعار عبر الإنترنت

12838944

طلب عرض سعر

الكمية
الحد الأدنى 1

(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة

إرسال

FDME910PZT المواصفات الفنية

فئة

ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET

المُصنّع

onsemi

تعبئة

-

سلسلة

PowerTrench®

حالة المنتج

Obsolete

نوع FET

P-Channel

التقنية

MOSFET (Metal Oxide)

استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)

20 V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية

8A (Ta)

محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)

1.8V, 4.5V

Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs

24mOhm @ 8A, 4.5V

Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف

1.5V @ 250µA

شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

21 nC @ 4.5 V

Vgs (ماكس)

±8V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

2110 pF @ 10 V

ميزة FET

-

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

2.1W (Ta)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

حزمة جهاز المورد

MicroFet 1.6x1.6 Thin

العبوة / العلبة

6-PowerUFDFN

رقم المنتج الأساسي

FDME910

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

مخططات البيانات

ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية

5,000

اسماء اخرى

FDME910PZTCT

FDME910PZTDKR

FDME910PZTTR

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS

ROHS3 Compliant

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)

1 (Unlimited)

حالة الوصول

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

شهادة ديجي

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

المنتجات ذات الصلة

onsemi

FDMC86102LZ

MOSFET N-CH 100V 7A/18A 8MLP

onsemi

FDP025N06

MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3

onsemi

FDP3682

MOSFET N-CH 100V 6A/32A TO220-3

onsemi

FDN360P

MOSFET P-CH 30V 2A SUPERSOT3