FDMS0306AS

رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FDMS0306AS

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FDMS0306AS-DG

وصف:

MOSFET N-CH 30V 26A/49A 8PQFN

وصف تفصيلي:

N-Channel 30 V 26A (Ta), 49A (Tc) 2.5W (Ta), 59W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)

المخزون:

3000 قطع جديدة أصلية في المخزون

12838906

طلب عرض سعر

الكمية
الحد الأدنى 1

(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة

إرسال

FDMS0306AS المواصفات الفنية

فئة

ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET

المُصنّع

onsemi

تعبئة

Tape & Reel (TR)

سلسلة

PowerTrench®, SyncFET™

حالة المنتج

Active

نوع FET

N-Channel

التقنية

MOSFET (Metal Oxide)

استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)

30 V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية

26A (Ta), 49A (Tc)

محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)

4.5V, 10V

Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs

2.4mOhm @ 26A, 10V

Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف

3V @ 1mA

شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

57 nC @ 10 V

Vgs (ماكس)

±20V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

3550 pF @ 15 V

ميزة FET

-

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

2.5W (Ta), 59W (Tc)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

حزمة جهاز المورد

8-PQFN (5x6)

العبوة / العلبة

8-PowerTDFN

رقم المنتج الأساسي

FDMS0306

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

مخططات البيانات

ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية

3,000

اسماء اخرى

FDMS0306ASCT

FDMS0306ASDKR

FDMS0306ASTR

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS

ROHS3 Compliant

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)

1 (Unlimited)

حالة الوصول

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

شهادة ديجي

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

المنتجات ذات الصلة

onsemi

FDR838P

MOSFET P-CH 20V 8A SUPERSOT8

onsemi

FDMS86310

MOSFET N-CH 80V 17A/50A 8PQFN

onsemi

FDB3652-F085

MOSFET N-CH 100V 9A/61A TO263AB

onsemi

FDS3590

MOSFET N-CH 80V 6.5A 8SOIC