رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDMS1D5N03
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDMS1D5N03-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 218A 8PQFN
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 218A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
المخزون:
12845538
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDMS1D5N03 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
218A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.15mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
63 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±16V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
9690 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
83W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-PQFN (5x6)
العبوة / العلبة
8-PowerTDFN
رقم المنتج الأساسي
FDMS1D5
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
FDMS1D5N03CT
2832-FDMS1D5N03TR
FDMS1D5N03TR
FDMS1D5N03DKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
CSD17573Q5BT
المُصنِّع
Texas Instruments
الكمية المتاحة
3742
DiGi رقم الجزء
CSD17573Q5BT-DG
سعر الوحدة
0.83
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
CSD17559Q5T
المُصنِّع
Texas Instruments
الكمية المتاحة
492
DiGi رقم الجزء
CSD17559Q5T-DG
سعر الوحدة
1.34
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
AOSP21357
MOSFET P-CH 30V 16A 8SOIC
FDC5612_F095
MOSFET N-CH 60V 4.3A SUPERSOT6
AOTF20C60PL
MOSFET N-CH 600V 20A TO220-3F