رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDMS3500
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDMS3500-DG
وصف:
MOSFET N-CH 75V PWR CLIP 56
وصف تفصيلي:
N-Channel 75 V 9.2A (Ta), 49A (Tc) 2.5W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
المخزون:
8567 قطع جديدة أصلية في المخزون
12837746
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDMS3500 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
75 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
9.2A (Ta), 49A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
14.5mOhm @ 11.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
91 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
4765 pF @ 40 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.5W (Ta), 96W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-PQFN (5x6)
العبوة / العلبة
8-PowerTDFN
رقم المنتج الأساسي
FDMS35
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
FDMS3500CT
FDMS3500TR
FDMS3500DKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FDV304P-CGB8
MOSFET P-CHANNEL
FDPF51N25
MOSFET N-CH 250V 51A TO220F
FDMS8558S
MOSFET N-CH 25V 33A/90A 8PQFN
