رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDMS3606AS
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDMS3606AS-DG
وصف:
MOSFET 2N-CH 30V 13A/27A POWER56
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 30V 13A, 27A 1W Surface Mount Power56
المخزون:
12847578
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDMS3606AS المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Active
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
13A, 27A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
8mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.7V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
29nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1695pF @ 15V
الطاقة - الحد الأقصى
1W
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-PowerTDFN
حزمة جهاز المورد
Power56
رقم المنتج الأساسي
FDMS3606
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
2832-FDMS3606ASTR
FDMS3606ASTR
FDMS3606AS-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FDG6332C-F085P
MOSFET N/P-CH 20V 0.7A SC70-6
BSL314PEH6327XTSA1
MOSFET 2P-CH 30V 1.5A TSOP6-6
FDS9933
MOSFET 2P-CH 20V 5A 8SOIC
