FDMS3610S

رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FDMS3610S

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FDMS3610S-DG

وصف:

MOSFET 2N-CH 25V 17.5/30A PWR56

وصف تفصيلي:

Mosfet Array 25V 17.5A, 30A 1W Surface Mount Power56

المخزون:

طلبات الأسعار عبر الإنترنت

12836862

طلب عرض سعر

الكمية
الحد الأدنى 1

(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة

إرسال

FDMS3610S المواصفات الفنية

فئة

ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET

المُصنّع

onsemi

تعبئة

-

سلسلة

PowerTrench®

حالة المنتج

Obsolete

التقنية

MOSFET (Metal Oxide)

تكوين

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

ميزة FET

Logic Level Gate

استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)

25V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية

17.5A, 30A

Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs

5mOhm @ 17.5A, 10V

Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف

2V @ 250µA

شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

26nC @ 10V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

1570pF @ 13V

الطاقة - الحد الأقصى

1W

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

العبوة / العلبة

8-PowerTDFN

حزمة جهاز المورد

Power56

رقم المنتج الأساسي

FDMS3610

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

مخططات البيانات

ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية

3,000

اسماء اخرى

FDMS3610SCT

FDMS3610SDKR

2156-FDMS3610S-OS

FDMS3610STR

FAIFSCFDMS3610S

2832-FDMS3610STR

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS

ROHS3 Compliant

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)

1 (Unlimited)

حالة الوصول

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

شهادة ديجي

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

المنتجات ذات الصلة

FDC6302P

MOSFET 2P-CH 25V 0.120A SSOT6

onsemi

FDMS1D2N03DSD

MOSFET 2N-CH 30V 19A/70A 8PQFN

onsemi

FDMS3604AS

MOSFET 2N-CH 30V 13A/23A POWER56

onsemi

FDS6984S

MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/8.5A 8SOIC