رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDMS3672
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDMS3672-DG
وصف:
MOSFET N-CH 100V 7.4A/22A 8MLP
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 7.4A (Ta), 22A (Tc) 2.5W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount 8-MLP (5x6), Power56
المخزون:
5020 قطع جديدة أصلية في المخزون
12845963
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDMS3672 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
UltraFET™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
7.4A (Ta), 22A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
6V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
23mOhm @ 7.4A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2680 pF @ 50 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.5W (Ta), 78W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-MLP (5x6), Power56
العبوة / العلبة
8-PowerWDFN
رقم المنتج الأساسي
FDMS36
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
ONSONSFDMS3672
2832-FDMS3672
2156-FDMS3672-OS
FDMS3672TR
FDMS3672DKR
FDMS3672CT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
AOD2810
MOSFET N-CH 80V 10.5A/46A TO252
FDC3612_F095
MOSFET N-CH 100V 2.6A SUPERSOT6
AO4490L
MOSFET N-CH 30V 16A 8SO
