رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDMS7558S
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDMS7558S-DG
وصف:
MOSFET N-CH 25V 32A/49A 8QFN
وصف تفصيلي:
N-Channel 25 V 32A (Ta), 49A (Tc) 2.5W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
المخزون:
13209790
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDMS7558S المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
25 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
32A (Ta), 49A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.25mOhm @ 32A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
119 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
7770 pF @ 13 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.5W (Ta), 89W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-PQFN (5x6)
العبوة / العلبة
8-PowerTDFN
رقم المنتج الأساسي
FDMS75
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
FDMS7558SCT
2832-FDMS7558S-488
FDMS7558STR
488-FDMS7558STR
FDMS7558SDKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FDMC7680
MOSFET N-CH 30V 14.8A 8MLP
FDMS8558SDC
MOSFET N-CH 25V 33A 8-PQFN
NTB35N15T4G
MOSFET N-CH 150V 37A D2PAK
