رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDMS7578
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDMS7578-DG
وصف:
MOSFET N-CH 25V 17A/28A 8PQFN
وصف تفصيلي:
N-Channel 25 V 17A (Ta), 28A (Tc) 2.5W (Ta), 33W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
المخزون:
12837226
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDMS7578 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
25 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
17A (Ta), 28A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
5.8mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1625 pF @ 13 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.5W (Ta), 33W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-PQFN (5x6)
العبوة / العلبة
8-PowerTDFN
رقم المنتج الأساسي
FDMS75
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
FDMS7578TR
FDMS7578DKR
FDMS7578CT
2832-FDMS7578TR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
BSC050NE2LSATMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
26172
DiGi رقم الجزء
BSC050NE2LSATMA1-DG
سعر الوحدة
0.32
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BSS138-T
MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3
FCP170N60
MOSFET N-CH 600V 22A TO220-3
FQAF65N06
MOSFET N-CH 60V 49A TO3PF
