FDMS7660AS

رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FDMS7660AS

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FDMS7660AS-DG

وصف:

MOSFET N-CH 30V 26A/42A 8PQFN

وصف تفصيلي:

N-Channel 30 V 26A (Ta), 42A (Tc) 2.5W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)

المخزون:

7237 قطع جديدة أصلية في المخزون

12847861

طلب عرض سعر

الكمية
الحد الأدنى 1

(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة

إرسال

FDMS7660AS المواصفات الفنية

فئة

ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET

المُصنّع

onsemi

تعبئة

Tape & Reel (TR)

سلسلة

PowerTrench®, SyncFET™

حالة المنتج

Active

نوع FET

N-Channel

التقنية

MOSFET (Metal Oxide)

استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)

30 V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية

26A (Ta), 42A (Tc)

محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)

4.5V, 10V

Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs

2.4mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف

3V @ 1mA

شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

90 nC @ 10 V

Vgs (ماكس)

±20V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

6120 pF @ 15 V

ميزة FET

-

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

2.5W (Ta), 83W (Tc)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

حزمة جهاز المورد

8-PQFN (5x6)

العبوة / العلبة

8-PowerTDFN

رقم المنتج الأساسي

FDMS7660

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

مخططات البيانات

ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية

3,000

اسماء اخرى

FDMS7660ASCT

FDMS7660AS-DG

FDMS7660ASDKR

FDMS7660ASTR

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS

ROHS3 Compliant

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)

1 (Unlimited)

حالة الوصول

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

شهادة ديجي

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

المنتجات ذات الصلة

onsemi

FDMS003N08C

MOSFET N-CH 80V 22A/147A POWER56

alpha-and-omega-semiconductor

AOL1206

MOSFET N-CH 30V 16A/54A ULTRASO8

onsemi

NTD5867NL-1G

MOSFET N-CH 60V 20A IPAK

onsemi

NTBV45N06LT4G

MOSFET N-CH 60V 45A D2PAK