FDMS7678

رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FDMS7678

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FDMS7678-DG

وصف:

MOSFET N-CH 30V 17.5A/26A 8PQFN

وصف تفصيلي:

N-Channel 30 V 17.5A (Ta), 26A (Tc) 2.3W (Ta), 41W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)

المخزون:

3000 قطع جديدة أصلية في المخزون

12850269

طلب عرض سعر

الكمية
الحد الأدنى 1

(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة

إرسال

FDMS7678 المواصفات الفنية

فئة

ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET

المُصنّع

onsemi

تعبئة

Tape & Reel (TR)

سلسلة

PowerTrench®

حالة المنتج

Active

نوع FET

N-Channel

التقنية

MOSFET (Metal Oxide)

استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)

30 V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية

17.5A (Ta), 26A (Tc)

محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)

4.5V, 10V

Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs

5.5mOhm @ 17.5A, 10V

Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف

3V @ 250µA

شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

39 nC @ 10 V

Vgs (ماكس)

±20V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

2410 pF @ 15 V

ميزة FET

-

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

2.3W (Ta), 41W (Tc)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

حزمة جهاز المورد

8-PQFN (5x6)

العبوة / العلبة

8-PowerTDFN

رقم المنتج الأساسي

FDMS76

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

مخططات البيانات

ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية

3,000

اسماء اخرى

FDMS7678-DG

ONSONSFDMS7678

2156-FDMS7678-OS

FDMS7678DKR

FDMS7678CT

FDMS7678TR

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS

ROHS3 Compliant

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)

1 (Unlimited)

حالة الوصول

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

شهادة ديجي

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

المنتجات ذات الصلة

onsemi

FDD8453LZ-F085

MOSFET N-CH 40V 50A DPAK

alpha-and-omega-semiconductor

AOD4185L

MOSFET P-CHANNEL 40V 40A TO252

onsemi

FQP19N20C

MOSFET N-CH 200V 19A TO220-3

onsemi

FCB20N60FTM

MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK