رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDMS86520
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDMS86520-DG
وصف:
MOSFET N-CH 60V 14A/42A 8PQFN
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 14A (Ta), 42A (Tc) 2.5W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
المخزون:
1486 قطع جديدة أصلية في المخزون
12838621
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDMS86520 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
14A (Ta), 42A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
8V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
7.4mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2850 pF @ 30 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.5W (Ta), 69W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-PQFN (5x6)
العبوة / العلبة
8-PowerTDFN
رقم المنتج الأساسي
FDMS86
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
FDMS86520-DG
FDMS86520CT
2832-FDMS86520TR
FDMS86520TR
FDMS86520DKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
CSD18563Q5AT
المُصنِّع
Texas Instruments
الكمية المتاحة
19760
DiGi رقم الجزء
CSD18563Q5AT-DG
سعر الوحدة
0.61
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
CSD18533Q5A
المُصنِّع
Texas Instruments
الكمية المتاحة
16540
DiGi رقم الجزء
CSD18533Q5A-DG
سعر الوحدة
0.50
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FDN8601
MOSFET N-CH 100V 2.7A SUPERSOT3
FQU1N60TU
MOSFET N-CH 600V 1A IPAK
FDS4480
MOSFET N-CH 40V 10.8A 8SOIC
