رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDMS86550ET60
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDMS86550ET60-DG
وصف:
MOSFET N-CH 60V 32A/245A POWER56
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 32A (Ta), 245A (Tc) 3.3W (Ta), 187W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
المخزون:
12837671
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDMS86550ET60 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
32A (Ta), 245A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
8V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.65mOhm @ 32A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
154 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
8235 pF @ 30 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.3W (Ta), 187W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-PQFN (5x6)
العبوة / العلبة
8-PowerTDFN
رقم المنتج الأساسي
FDMS86550
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
FDMS86550ET60CT
FDMS86550ET60DKR
FDMS86550ET60TR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FQD5N15TM
MOSFET N-CH 150V 4.3A DPAK
FQI32N20CTU
MOSFET N-CH 200V 28A I2PAK
FDB8832-F085
MOSFET N-CH 30V 34A TO263AB