FDMT1D3N08B
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FDMT1D3N08B

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FDMT1D3N08B-DG

وصف:

MOSFET N-CH 80V 164A 8DL COOL88
وصف تفصيلي:
N-Channel 80 V 164A (Tc) 178W (Tc) Surface Mount 8-Dual Cool™88

المخزون:

2966 قطع جديدة أصلية في المخزون
12849734
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

FDMT1D3N08B المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
80 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
164A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
8V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.35mOhm @ 36A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
260 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
19600 pF @ 40 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
178W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-Dual Cool™88
العبوة / العلبة
8-PowerVDFN
رقم المنتج الأساسي
FDMT1D3

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
488-FDMT1D3N08BCT
488-FDMT1D3N08BDKR
488-FDMT1D3N08BTR
FDMT1D3N08B-DG

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
onsemi

FQD20N06LTM

MOSFET N-CH 60V 17.2A DPAK

onsemi

FCPF290N80

MOSFET N-CH 800V 17A TO220F

onsemi

FDS8670

MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC

onsemi

FCH077N65F-F155

MOSFET N-CH 650V 54A TO247