رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDMT800120DC
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDMT800120DC-DG
وصف:
MOSFET N-CH 120V 20A 8DLCOOL88
وصف تفصيلي:
N-Channel 120 V 20A (Ta), 129A (Tc) 3.2W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount 8-Dual Cool™88
المخزون:
273 قطع جديدة أصلية في المخزون
12848199
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDMT800120DC المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
Dual Cool™, PowerTrench®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
120 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
20A (Ta), 129A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
6V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
4.14mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
107 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
7850 pF @ 60 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.2W (Ta), 156W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-Dual Cool™88
العبوة / العلبة
8-PowerVDFN
رقم المنتج الأساسي
FDMT800120
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
2156-FDMT800120DC-OS
FDMT800120DCDKR
ONSONSFDMT800120DC
FDMT800120DCTR
FDMT800120DCCT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FQD10N20TM
MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK
FQI11N40TU
MOSFET N-CH 400V 11.4A I2PAK
FDP8860
MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
