رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDN306P
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDN306P-DG
وصف:
MOSFET P-CH 12V 2.6A SUPERSOT3
وصف تفصيلي:
P-Channel 12 V 2.6A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
المخزون:
43445 قطع جديدة أصلية في المخزون
12850723
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDN306P المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Active
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
12 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
2.6A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
1.8V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
40mOhm @ 2.6A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
17 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±8V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1138 pF @ 6 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
500mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
SOT-23-3
العبوة / العلبة
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
رقم المنتج الأساسي
FDN306
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
FDN306P_F095TR-DG
FDN306P_F095
FDN306P_F095CT-DG
FAIFSCFDN306P
FDN306PDKR
FDN306PCT
2156-FDN306P-OS
FDN306P_F095TR
FDN306P_F095DKR
FDN306PF095
FDN306PTR
FDN306P_F095CT
FDN306P_F095DKR-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FDD9411-F085
MOSFET N-CH 40V 15A DPAK
FDPF79N15
MOSFET N-CH 150V 79A TO220F
FCA16N60
MOSFET N-CH 600V 16A TO3PN