FDN537N
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FDN537N

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FDN537N-DG

وصف:

MOSFET N-CH 30V 6.5A SUPERSOT3
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 6.5A (Ta), 6.5A (Tc) 1.5W (Ta) Surface Mount SOT-23-3

المخزون:

5625 قطع جديدة أصلية في المخزون
12839878
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

FDN537N المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
6.5A (Ta), 6.5A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
23mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
8.4 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
465 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.5W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
SOT-23-3
العبوة / العلبة
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
رقم المنتج الأساسي
FDN537

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
FDN537N
مخططات البيانات
FDN537N
ورقة بيانات HTML
FDN537N-DG

معلومات إضافية

الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
FDN537NCT
2832-FDN537N
FDN537NTR
FDN537NDKR
2156-FDN537NTR

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
المنتجات ذات الصلة
onsemi

NTD4913NT4G

MOSFET N-CH 30V 7.7A/32A DPAK

onsemi

NDF08N50ZH

MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220FP

onsemi

NTD50N03RT4

MOSFET N-CH 25V 7.8A/45A DPAK

onsemi

FDS8880

MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC