رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDP12N60NZ
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDP12N60NZ-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 12A TO220-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 12A (Tc) 240W (Tc) Through Hole TO-220-3
المخزون:
12848741
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDP12N60NZ المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
UniFET-II™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
12A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
650mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1676 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
240W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220-3
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
FDP12
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
FDP12N60NZ-DG
2156-FDP12N60NZ-OS
FDP12N60NZOS
2832-FDP12N60NZ
FAIFSCFDP12N60NZ
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
FDPF12N60NZ
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
174
DiGi رقم الجزء
FDPF12N60NZ-DG
سعر الوحدة
0.90
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
STP9N60M2
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
20
DiGi رقم الجزء
STP9N60M2-DG
سعر الوحدة
0.54
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
AOT10N60
المُصنِّع
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
الكمية المتاحة
769
DiGi رقم الجزء
AOT10N60-DG
سعر الوحدة
0.60
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FDD6606
MOSFET N-CH 30V 75A D-PAK
AO3403L
MOSFET P-CH 30V 2.6A SOT23-3
FDMS6673BZ
MOSFET P-CH 30V 15.2A/28A 8PQFN