رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDP150N10A
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDP150N10A-DG
وصف:
MOSFET N-CH 100V 50A TO220-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 50A (Tc) 91W (Tc) Through Hole TO-220-3
المخزون:
12848319
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDP150N10A المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
50A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
15mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1440 pF @ 50 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
91W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220-3
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
FDP150
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRFB4510PBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
1965
DiGi رقم الجزء
IRFB4510PBF-DG
سعر الوحدة
0.55
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
FDP150N10A-F102
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
223
DiGi رقم الجزء
FDP150N10A-F102-DG
سعر الوحدة
1.03
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
رقم الجزء
PSMN7R0-100PS,127
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
4441
DiGi رقم الجزء
PSMN7R0-100PS,127-DG
سعر الوحدة
1.38
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPI90N04S402AKSA1
MOSFET N-CH 40V 90A TO262-3
MTD6N20ET4G
MOSFET N-CH 200V 6A DPAK
FCH47N60F-F085
MOSFET N-CH 600V 47A TO247-3
