رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDP2614
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDP2614-DG
وصف:
MOSFET N-CH 200V 62A TO220-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 200 V 62A (Tc) 260W (Tc) Through Hole TO-220-3
المخزون:
9582 قطع جديدة أصلية في المخزون
12839492
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDP2614 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tube
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
200 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
62A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
27mOhm @ 31A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
99 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
7230 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
260W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220-3
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
FDP26
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
FDP2614-DG
2156-FDP2614-OS
FDP2614FS
ONSONSFDP2614
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NVF3055-100T1G
MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
HUFA75339P3
MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3
AUIRLU024Z
MOSFET N-CH 55V 16A IPAK
