رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDP5N50NZ
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDP5N50NZ-DG
وصف:
MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 500 V 4.5A (Tc) 78W (Tc) Through Hole TO-220-3
المخزون:
3522 قطع جديدة أصلية في المخزون
12847345
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDP5N50NZ المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tube
سلسلة
UniFET-II™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
500 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
4.5A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.5Ohm @ 2.25A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±25V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
440 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
78W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220-3
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
FDP5
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRF830PBF
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
9086
DiGi رقم الجزء
IRF830PBF-DG
سعر الوحدة
0.53
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
FCP600N65S3R0
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
800
DiGi رقم الجزء
FCP600N65S3R0-DG
سعر الوحدة
0.94
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
AOT5N50
المُصنِّع
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
الكمية المتاحة
588
DiGi رقم الجزء
AOT5N50-DG
سعر الوحدة
0.34
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FQD19N10TM
MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
FDC697P
MOSFET P-CH 20V 8A SUPERSOT6
FDN327N
MOSFET N-CH 20V 2A SUPERSOT3
