الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
Morocco
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
Morocco
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDP8874
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDP8874-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 16A/114A TO220-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 16A (Ta), 114A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220-3
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12839551
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDP8874 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
16A (Ta), 114A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
5.3mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
72 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3130 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
110W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220-3
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
FDP88
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
FDP8874
مخططات البيانات
FDP8874
ورقة بيانات HTML
FDP8874-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
2156-FDP8874-488
FDP8874-DG
FDP8874FS
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
PSMN4R3-30PL,127
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
4699
DiGi رقم الجزء
PSMN4R3-30PL,127-DG
سعر الوحدة
0.72
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IRLB8748PBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
4637
DiGi رقم الجزء
IRLB8748PBF-DG
سعر الوحدة
0.36
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
PSMN2R0-30PL,127
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
9215
DiGi رقم الجزء
PSMN2R0-30PL,127-DG
سعر الوحدة
1.11
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IPP055N03LGXKSA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
5965
DiGi رقم الجزء
IPP055N03LGXKSA1-DG
سعر الوحدة
0.42
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IPP042N03LGXKSA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
238
DiGi رقم الجزء
IPP042N03LGXKSA1-DG
سعر الوحدة
0.49
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FDD6N50FTM
MOSFET N-CH 500V 5.5A DPAK
FQP30N06L
MOSFET N-CH 60V 32A TO220-3
FDBL86063-F085
MOSFET N-CH 100V 240A 8HPSOF
FDP2D9N12C
PTNG 120V N-FET TO220