FDPF4D5N10C
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FDPF4D5N10C

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FDPF4D5N10C-DG

وصف:

MOSFET N-CH 100V 128A TO220F
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 128A (Tc) 2.4W (Ta), 37.5W (Tc) Through Hole TO-220F-3

المخزون:

898 قطع جديدة أصلية في المخزون
12839253
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

FDPF4D5N10C المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tube
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
128A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
4.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 310µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
5065 pF @ 50 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.4W (Ta), 37.5W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220F-3
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
رقم المنتج الأساسي
FDPF4

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
FDP4D5N10C, FDPF4D5N10C
مخططات البيانات
FDPF4D5N10C
ورقة بيانات HTML
FDPF4D5N10C-DG

معلومات إضافية

الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
2156-FDPF4D5N10C-488

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
المنتجات ذات الصلة
onsemi

HUF75329G3

MOSFET N-CH 55V 49A TO247-3

onsemi

FDS7066ASN3

MOSFET N-CH 30V 19A 8SO

onsemi

FQB55N06TM

MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK

onsemi

FQD13N10LTM_NBEL001

MOSFET N-CH 100V 10A DPAK