رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDPF680N10T
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDPF680N10T-DG
وصف:
MOSFET N-CH 100V 12A TO220F
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 12A (Tc) 24W (Tc) Through Hole TO-220F-3
المخزون:
211 قطع جديدة أصلية في المخزون
12849639
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDPF680N10T المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tube
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
12A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
68mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1000 pF @ 50 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
24W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220F-3
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
رقم المنتج الأساسي
FDPF680
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
2832-FDPF680N10T
2832-FDPF680N10T-488
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRFI540NPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
IRFI540NPBF-DG
سعر الوحدة
0.54
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IRFI530NPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
7816
DiGi رقم الجزء
IRFI530NPBF-DG
سعر الوحدة
0.52
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
FDPF3860T
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
FDPF3860T-DG
سعر الوحدة
0.50
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FDB9409-F085
MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
FQB7N80TM_AM002
MOSFET N-CH 800V 6.6A D2PAK
AOW66616
MOSFET N-CH 60V 33A/140A TO262
