FDR840P

رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FDR840P

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FDR840P-DG

وصف:

MOSFET P-CH 20V 10A SUPERSOT8

وصف تفصيلي:

P-Channel 20 V 10A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-8

المخزون:

طلبات الأسعار عبر الإنترنت

12838958

طلب عرض سعر

الكمية
الحد الأدنى 1

(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة

إرسال

FDR840P المواصفات الفنية

فئة

ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET

المُصنّع

onsemi

تعبئة

-

سلسلة

-

حالة المنتج

Obsolete

نوع FET

P-Channel

التقنية

MOSFET (Metal Oxide)

استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)

20 V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية

10A (Ta)

محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)

2.5V, 4.5V

Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs

12mOhm @ 10A, 4.5V

Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف

1.5V @ 250µA

شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

60 nC @ 4.5 V

Vgs (ماكس)

±12V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

4481 pF @ 10 V

ميزة FET

-

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

1.8W (Ta)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

حزمة جهاز المورد

SuperSOT™-8

العبوة / العلبة

8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)

رقم المنتج الأساسي

FDR84

مواصفات تقنية ومستندات

مخططات البيانات

ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية

3,000

التصنيف البيئي والتصدير

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)

1 (Unlimited)

حالة الوصول

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

شهادة ديجي

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

المنتجات ذات الصلة

onsemi

HUF76639S3S

MOSFET N-CH 100V 51A D2PAK

infineon-technologies

BSV236SPH6327XTSA1

MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT363-6

onsemi

FDD4243-F085P

MOSFET P-CH 40V 14A TO252

onsemi

FDMC8462

MOSFET N-CH 40V 14A/20A POWER33