FDS3580

رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FDS3580

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FDS3580-DG

وصف:

MOSFET N-CH 80V 7.6A 8SOIC

وصف تفصيلي:

N-Channel 80 V 7.6A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

المخزون:

9823 قطع جديدة أصلية في المخزون

12838142

طلب عرض سعر

الكمية
الحد الأدنى 1

(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة

إرسال

FDS3580 المواصفات الفنية

فئة

ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET

المُصنّع

onsemi

تعبئة

Tape & Reel (TR)

سلسلة

PowerTrench®

حالة المنتج

Active

نوع FET

N-Channel

التقنية

MOSFET (Metal Oxide)

استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)

80 V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية

7.6A (Ta)

محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)

6V, 10V

Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs

29mOhm @ 7.6A, 10V

Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف

4V @ 250µA

شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

46 nC @ 10 V

Vgs (ماكس)

±20V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

1800 pF @ 25 V

ميزة FET

-

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

2.5W (Ta)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

حزمة جهاز المورد

8-SOIC

العبوة / العلبة

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

رقم المنتج الأساسي

FDS35

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

مخططات البيانات

ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية

2,500

اسماء اخرى

FDS3580FSDKR

FDS3580FSCT

FDS3580-DG

FDS3580FSTR

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS

ROHS3 Compliant

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)

1 (Unlimited)

حالة الوصول

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

شهادة ديجي

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

المنتجات ذات الصلة

onsemi

FQPF6N40CF

MOSFET N-CH 400V 6A TO220F

onsemi

FDN5618P_G

MOSFET P-CH 60V 1.25A SUPERSOT3

onsemi

FQA46N15

MOSFET N-CH 150V 50A TO3P

onsemi

FQB3P20TM

MOSFET P-CH 200V 2.8A D2PAK