FDS3692
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FDS3692

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FDS3692-DG

وصف:

MOSFET N-CH 100V 4.5A 8SOIC
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 4.5A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

المخزون:

4627 قطع جديدة أصلية في المخزون
12848053
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

FDS3692 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
4.5A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
6V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
60mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
746 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.5W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-SOIC
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
رقم المنتج الأساسي
FDS36

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
FDS3692-DG
FDS3692CT
FDS3692DKR
FDS3692TR

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
onsemi

FDMC2674

MOSFET N-CH 220V 1A/7A 8MLP

onsemi

FQP55N06

MOSFET N-CH 60V 55A TO220-3

onsemi

FDT86102LZ

MOSFET N-CH 100V 6.6A SOT223-4

onsemi

NTD4863NAT4G

MOSFET N-CH 25V 9.2A/49A DPAK