رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDS4897AC
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDS4897AC-DG
وصف:
MOSFET N/P-CH 40V 6.1A 8SOIC
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 40V 6.1A, 5.2A 900mW Surface Mount 8-SOIC
المخزون:
12838829
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDS4897AC المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Obsolete
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
N and P-Channel
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
40V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
6.1A, 5.2A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
26mOhm @ 6.1A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
21nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1055pF @ 20V
الطاقة - الحد الأقصى
900mW
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
حزمة جهاز المورد
8-SOIC
رقم المنتج الأساسي
FDS4897
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
FDS4897ACCT
FDS4897ACTR
FDS4897ACDKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
TPC8408,LQ(S
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
3530
DiGi رقم الجزء
TPC8408,LQ(S-DG
سعر الوحدة
0.17
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
DMC3028LSDX-13
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
2405
DiGi رقم الجزء
DMC3028LSDX-13-DG
سعر الوحدة
0.19
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
DMC3028LSD-13
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
29399
DiGi رقم الجزء
DMC3028LSD-13-DG
سعر الوحدة
0.15
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
EFC6601R-TR
MOSFET 2N-CH EFCP2718
FDW2507N
MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8TSSOP
ECH8660-S-TL-H
MOSFET N/P-CH 30V 4.5A ECH8
