رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDS5682
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDS5682-DG
وصف:
MOSFET N-CH 60V 7.5A 8SOIC
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 7.5A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
المخزون:
12846729
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDS5682 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
7.5A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
21mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1650 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.5W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-SOIC
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
رقم المنتج الأساسي
FDS56
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
FDS5682TR
FDS5682DKR
FDS5682CT
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
RSH065N06GZETB
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
109
DiGi رقم الجزء
RSH065N06GZETB-DG
سعر الوحدة
0.44
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STS7NF60L
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
7200
DiGi رقم الجزء
STS7NF60L-DG
سعر الوحدة
0.86
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FDBL0065N40
MOSFET N-CH 40V 300A 8HPSOF
FDD8880
MOSFET N-CH 30V 13A/58A TO252AA
HUF75617D3ST
MOSFET N-CH 100V 16A TO252AA
