FDS6064N3

رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FDS6064N3

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FDS6064N3-DG

وصف:

MOSFET N-CH 20V 23A 8SO

وصف تفصيلي:

N-Channel 20 V 23A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount 8-SO FLMP

المخزون:

طلبات الأسعار عبر الإنترنت

12847527

طلب عرض سعر

الكمية
الحد الأدنى 1

(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة

إرسال

FDS6064N3 المواصفات الفنية

فئة

ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET

المُصنّع

onsemi

تعبئة

-

سلسلة

PowerTrench®

حالة المنتج

Obsolete

نوع FET

N-Channel

التقنية

MOSFET (Metal Oxide)

استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)

20 V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية

23A (Ta)

محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)

1.8V, 4.5V

Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs

4mOhm @ 23A, 4.5V

Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف

1.5V @ 250µA

شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

98 nC @ 4.5 V

Vgs (ماكس)

±8V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

7191 pF @ 10 V

ميزة FET

-

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

3W (Ta)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

حزمة جهاز المورد

8-SO FLMP

العبوة / العلبة

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad

رقم المنتج الأساسي

FDS60

مواصفات تقنية ومستندات

مخططات البيانات

ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية

2,500

اسماء اخرى

FDS6064N3_NLTR-DG

FDS6064N3_NL

FDS6064N3TR-NDR

FDS6064N3DKR

FDS6064N3CT-NDR

FDS6064N3_NLCT

FDS6064N3TR

FDS6064N3_NLCT-DG

FDS6064N3_NLTR

FDS6064N3CT

التصنيف البيئي والتصدير

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)

1 (Unlimited)

حالة الوصول

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

شهادة ديجي

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

المنتجات ذات الصلة

onsemi

FDS9412A

MOSFET N-CH 30V 8A 8SOIC

onsemi

NTD5807NT4G

MOSFET N-CH 40V 23A DPAK

onsemi

BS170_L34Z

MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3

onsemi

FDMC7692S-F126

MOSFET N-CH 30V 12.5A/18A 8MLP