FDS6673BZ
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FDS6673BZ

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FDS6673BZ-DG

وصف:

MOSFET P-CH 30V 14.5A 8SOIC
وصف تفصيلي:
P-Channel 30 V 14.5A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

المخزون:

5548 قطع جديدة أصلية في المخزون
12850376
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

FDS6673BZ المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Active
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
14.5A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
7.8mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
124 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±25V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
4700 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.5W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-SOIC
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
رقم المنتج الأساسي
FDS6673

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

معلومات إضافية

الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
FDS6673BZ-DG
Q3295237
ONSONSFDS6673BZ
FDS6673BZTR
2156-FDS6673BZ-OS
FDS6673BZCT
FDS6673BZDKR

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
infineon-technologies

BSO130P03SHXUMA1

MOSFET P-CH 30V 9.2A 8DSO

onsemi

FDMS86350

MOSFET N-CH 80V 25A/130A POWER56

onsemi

IRFS750A

MOSFET N-CH 400V 8.4A TO220F

onsemi

FCD4N60TM

MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK