رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDS6676AS
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDS6676AS-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 14.5A 8SOIC
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 14.5A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
المخزون:
12838673
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDS6676AS المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
سلسلة
PowerTrench®, SyncFET™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
14.5A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
6mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
63 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2510 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.5W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-SOIC
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
رقم المنتج الأساسي
FDS66
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
FDS6676AS-DG
2156-FDS6676AS-OS
2832-FDS6676ASTR
FDS6676ASTR
FDS6676ASCT
FDS6676ASDKR
ONSFSCFDS6676AS
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
FDS6676
المُصنِّع
Fairchild Semiconductor
الكمية المتاحة
13765
DiGi رقم الجزء
FDS6676-DG
سعر الوحدة
1.81
نوع الاستبدال
Direct
رقم الجزء
PJQ4404P_R2_00001
المُصنِّع
Panjit International Inc.
الكمية المتاحة
4990
DiGi رقم الجزء
PJQ4404P_R2_00001-DG
سعر الوحدة
0.15
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FQPF19N20C
MOSFET N-CH 200V 19A TO220F
FQD5P10TF
MOSFET P-CH 100V 3.6A DPAK
FQPF22N30
MOSFET N-CH 300V 12A TO220F