رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDS6679
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDS6679-DG
وصف:
MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC
وصف تفصيلي:
P-Channel 30 V 13A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
المخزون:
12837356
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDS6679 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
13A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
9mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±25V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3939 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.5W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-SOIC
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
رقم المنتج الأساسي
FDS66
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
FDS6679TR
FDS6679-DG
FDS6679DKR
FDS6679CT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
SI4427BDY-T1-GE3
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
SI4427BDY-T1-GE3-DG
سعر الوحدة
0.69
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
FDS6679AZ
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
16261
DiGi رقم الجزء
FDS6679AZ-DG
سعر الوحدة
0.33
نوع الاستبدال
Direct
رقم الجزء
AO4407A
المُصنِّع
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
الكمية المتاحة
25182
DiGi رقم الجزء
AO4407A-DG
سعر الوحدة
0.21
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FQP4N90
MOSFET N-CH 900V 4.2A TO220-3
FQI6N60CTU
MOSFET N-CH 600V 5.5A I2PAK
FDN339AN_G
MOSFET N-CH 20V 3A SUPERSOT3
