FDS6680
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FDS6680

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FDS6680-DG

وصف:

MOSFET N-CH 30V 11.5A 8SOIC
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 11.5A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

المخزون:

طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12839088
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

FDS6680 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
11.5A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
10mOhm @ 11.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
27 nC @ 5 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2070 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.5W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-SOIC
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
رقم المنتج الأساسي
FDS66

مواصفات تقنية ومستندات

مخططات البيانات
FDS6680
ورقة بيانات HTML
FDS6680-DG

معلومات إضافية

الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
FDS6680DKR
FDS6680CT
FDS6680TR

التصنيف البيئي والتصدير

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

نماذج بديلة

رقم الجزء
IRF7821TRPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
16602
DiGi رقم الجزء
IRF7821TRPBF-DG
سعر الوحدة
0.37
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
FDS6680A
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
2496
DiGi رقم الجزء
FDS6680A-DG
سعر الوحدة
0.32
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
DMN3010LSS-13
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
2390
DiGi رقم الجزء
DMN3010LSS-13-DG
سعر الوحدة
0.22
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
SI4420BDY-T1-E3
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
2500
DiGi رقم الجزء
SI4420BDY-T1-E3-DG
سعر الوحدة
0.29
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
SI4686DY-T1-GE3
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
6279
DiGi رقم الجزء
SI4686DY-T1-GE3-DG
سعر الوحدة
0.54
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
المنتجات ذات الصلة
onsemi

FDD9409L-F085

MOSFET N-CH 40V 90A TO252

onsemi

FQB13N50CTM

MOSFET N-CH 500V 13A D2PAK

onsemi

FCH041N60E

MOSFET N-CH 600V 77A TO247-3

onsemi

FCD360N65S3R0

MOSFET N-CH 650V 10A DPAK