رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDS6680S
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDS6680S-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 11.5A 8SOIC
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 11.5A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
المخزون:
12836743
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDS6680S المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
11.5A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
11mOhm @ 11.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
24 nC @ 5 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2010 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.5W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-SOIC
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
رقم المنتج الأساسي
FDS66
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRF7413ZTRPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
2211
DiGi رقم الجزء
IRF7413ZTRPBF-DG
سعر الوحدة
0.28
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IRF8714TRPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
26446
DiGi رقم الجزء
IRF8714TRPBF-DG
سعر الوحدة
0.21
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
CPH3456-TL-W
MOSFET N-CH 20V 3.5A 3CPH
FDMS8888
MOSFET N-CH 30V 13.5A/21A 8PQFN
FDMC0310AS
MOSFET N-CH 30V 19A/21A 8MLP