FDS6898A
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FDS6898A

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FDS6898A-DG

وصف:

MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 20V 9.4A 900mW Surface Mount 8-SOIC

المخزون:

3964 قطع جديدة أصلية في المخزون
12849691
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

FDS6898A المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Active
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
9.4A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
14mOhm @ 9.4A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
23nC @ 4.5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1821pF @ 10V
الطاقة - الحد الأقصى
900mW
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
حزمة جهاز المورد
8-SOIC
رقم المنتج الأساسي
FDS6898

مواصفات تقنية ومستندات

مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
FAIFSCFDS6898A
FDS6898ATR
2156-FDS6898A-OS
FDS6898ACT
FDS6898ADKR

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
onsemi

FDMS3660S

MOSFET 2N-CH 30V 30A/60A POWER56

onsemi

FDW2508P

MOSFET 2P-CH 12V 6A 8TSSOP

alpha-and-omega-semiconductor

AO4822AL_102

MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC

onsemi

FDS6890A

MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC