رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDS6975
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDS6975-DG
وصف:
MOSFET 2P-CH 30V 6A 8SOIC
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 30V 6A 900mW Surface Mount 8-SOIC
المخزون:
1563 قطع جديدة أصلية في المخزون
12849533
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDS6975 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Active
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 P-Channel (Dual)
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
6A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
32mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
20nC @ 5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1540pF @ 15V
الطاقة - الحد الأقصى
900mW
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
حزمة جهاز المورد
8-SOIC
رقم المنتج الأساسي
FDS69
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
ONSONSFDS6975
FDS6975CT
FDS6975TR
2156-FDS6975-OS
FDS6975DKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
SI4925DDY-T1-GE3
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
15965
DiGi رقم الجزء
SI4925DDY-T1-GE3-DG
سعر الوحدة
0.34
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
AUIRF7316QTR
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
419
DiGi رقم الجزء
AUIRF7316QTR-DG
سعر الوحدة
1.46
نوع الاستبدال
Direct
رقم الجزء
AO4813
المُصنِّع
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
الكمية المتاحة
64200
DiGi رقم الجزء
AO4813-DG
سعر الوحدة
0.29
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
