الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
Morocco
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
Morocco
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDS6994S
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDS6994S-DG
وصف:
MOSFET 2N-CH 30V 6.9A/8.2A 8SOIC
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 30V 6.9A, 8.2A 900mW Surface Mount 8-SOIC
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12850567
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDS6994S المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
PowerTrench®, SyncFET™
حالة المنتج
Obsolete
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
6.9A, 8.2A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
21mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
12nC @ 5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
800pF @ 15V
الطاقة - الحد الأقصى
900mW
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
حزمة جهاز المورد
8-SOIC
رقم المنتج الأساسي
FDS69
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
FDS6994SFSDKR
FDS6994S-DG
FDS6994SFSCT
FDS6994SFSTR
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STS10DN3LH5
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
11163
DiGi رقم الجزء
STS10DN3LH5-DG
سعر الوحدة
0.47
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
SH8KA4TB
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
41573
DiGi رقم الجزء
SH8KA4TB-DG
سعر الوحدة
0.31
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
AO4842
المُصنِّع
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
الكمية المتاحة
19951
DiGi رقم الجزء
AO4842-DG
سعر الوحدة
0.18
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
SI4214DDY-T1-E3
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
2352
DiGi رقم الجزء
SI4214DDY-T1-E3-DG
سعر الوحدة
0.28
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
AOD607_001
MOSFET N/P-CH 30V 12A TO252-4L
FDG6318P
MOSFET 2P-CH 20V 0.5A SC88
FDZ1905PZ
MOSFET 2P-CH 6WLCSP
FDS8978
MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC