رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDS86252
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDS86252-DG
وصف:
MOSFET N-CH 150V 4.5A 8SOIC
وصف تفصيلي:
N-Channel 150 V 4.5A (Ta) 2.5W (Ta), 5W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
المخزون:
7262 قطع جديدة أصلية في المخزون
12836816
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDS86252 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
150 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
4.5A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
6V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
55mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
955 pF @ 75 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.5W (Ta), 5W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-SOIC
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
رقم المنتج الأساسي
FDS86
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
FDS86252-DG
FDS86252TR
FDS86252CT
FDS86252DKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BSL202SNH6327XTSA1
MOSFET N-CH 20V 7.5A TSOP-6
FDW262P
MOSFET P-CH 20V 4.5A 8TSSOP
FQPF16N25C
MOSFET N-CH 250V 15.6A TO220F
