الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
Morocco
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
Morocco
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDS8812NZ
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDS8812NZ-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 20A 8SOIC
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 20A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12849483
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDS8812NZ المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
20A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
4mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
126 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
6925 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.5W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-SOIC
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
رقم المنتج الأساسي
FDS88
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
FDS8812NZ
ورقة بيانات HTML
FDS8812NZ-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
FDS8812NZTR
FDS8812NZDKR
FDS8812NZCT
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
TSM042N03CS RLG
المُصنِّع
Taiwan Semiconductor Corporation
الكمية المتاحة
14182
DiGi رقم الجزء
TSM042N03CS RLG-DG
سعر الوحدة
0.68
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
SI4430BDY-T1-GE3
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
SI4430BDY-T1-GE3-DG
سعر الوحدة
0.69
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
BSO033N03MSGXUMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
21786
DiGi رقم الجزء
BSO033N03MSGXUMA1-DG
سعر الوحدة
0.52
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
SI4842BDY-T1-GE3
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
1589
DiGi رقم الجزء
SI4842BDY-T1-GE3-DG
سعر الوحدة
0.94
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
BSO040N03MSGXUMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
2438
DiGi رقم الجزء
BSO040N03MSGXUMA1-DG
سعر الوحدة
0.50
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
AOTF2618L
MOSFET N-CH 60V 7A/22A TO220-3F
FCP600N65S3R0
MOSFET N-CH 650V 6A TO220-3
AON6442
MOSFET N-CH 40V 22A/32A 8DFN
FCA47N60-F109
MOSFET N-CH 600V 47A TO3PN