FDS89161

رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FDS89161

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FDS89161-DG

وصف:

MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8SOIC

وصف تفصيلي:

Mosfet Array 100V 2.7A 1.6W Surface Mount 8-SOIC

المخزون:

22674 قطع جديدة أصلية في المخزون

12837663

طلب عرض سعر

الكمية
الحد الأدنى 1

(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة

إرسال

FDS89161 المواصفات الفنية

فئة

ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET

المُصنّع

onsemi

تعبئة

Tape & Reel (TR)

سلسلة

PowerTrench®

حالة المنتج

Active

التقنية

MOSFET (Metal Oxide)

تكوين

2 N-Channel (Dual)

ميزة FET

-

استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)

100V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية

2.7A

Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs

105mOhm @ 2.7A, 10V

Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف

4V @ 250µA

شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

4.1nC @ 10V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

210pF @ 50V

الطاقة - الحد الأقصى

1.6W

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

العبوة / العلبة

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

حزمة جهاز المورد

8-SOIC

رقم المنتج الأساسي

FDS89

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

مخططات البيانات

ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية

2,500

اسماء اخرى

FDS89161TR

FDS89161CT

FDS89161DKR

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS

ROHS3 Compliant

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)

1 (Unlimited)

حالة الوصول

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

شهادة ديجي

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

المنتجات ذات الصلة

FDC6301N_G

MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SSOT6

onsemi

FDG6308P

MOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88

onsemi

FDME1034CZT

MOSFET N/P-CH 20V 3.8A 6MICROFET

onsemi

FDG8842CZ

MOSFET N/P-CH 30V 0.75A SC88