FDS89161
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FDS89161

Product Overview

المُصنّع:

onsemi

رقم الجزء DiGi Electronics:

FDS89161-DG

وصف:

MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8SOIC
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 100V 2.7A 1.6W Surface Mount 8-SOIC

المخزون:

22674 قطع جديدة أصلية في المخزون
12837663
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

FDS89161 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Active
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET
-
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
2.7A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
105mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
4.1nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
210pF @ 50V
الطاقة - الحد الأقصى
1.6W
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
حزمة جهاز المورد
8-SOIC
رقم المنتج الأساسي
FDS89

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
FDS89161TR
FDS89161CT
FDS89161DKR

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
onsemi

FDC6301N_G

MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SSOT6

onsemi

FDG6308P

MOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88

onsemi

FDME1034CZT

MOSFET N/P-CH 20V 3.8A 6MICROFET

onsemi

FDG8842CZ

MOSFET N/P-CH 30V 0.75A SC88