رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDS9958
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDS9958-DG
وصف:
MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8SOIC
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 60V 2.9A 900mW Surface Mount 8-SOIC
المخزون:
12849778
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDS9958 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Active
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 P-Channel (Dual)
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
2.9A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
105mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
23nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1020pF @ 30V
الطاقة - الحد الأقصى
900mW
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
حزمة جهاز المورد
8-SOIC
رقم المنتج الأساسي
FDS99
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
FDS9958CT
FDS9958DKR
2832-FDS9958
FDS9958TR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
AO6601_001
MOSFET N/P-CH 30V 3.4A 6TSOP
AO4882
MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
HUFA76404DK8T
MOSFET 2N-CH 62V 3.6A 8SOIC
