رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDT55AN06LA0
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDT55AN06LA0-DG
وصف:
MOSFET N-CH 60V 12.1A SOT223-4
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 12.1A (Tc) 8.9W (Tc) Surface Mount SOT-223-4
المخزون:
12850052
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDT55AN06LA0 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
12.1A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
46mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1130 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
8.9W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
SOT-223-4
العبوة / العلبة
TO-261-4, TO-261AA
رقم المنتج الأساسي
FDT55
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
FDT55AN06LA0DKR
FDT55AN06LA0TR
FDT55AN06LA0CT
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
ZXMN6A25GTA
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
21837
DiGi رقم الجزء
ZXMN6A25GTA-DG
سعر الوحدة
0.37
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
ZXMN6A09GTA
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
440
DiGi رقم الجزء
ZXMN6A09GTA-DG
سعر الوحدة
0.45
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IRFL4105TRPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
6035
DiGi رقم الجزء
IRFL4105TRPBF-DG
سعر الوحدة
0.28
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FDS86540
MOSFET N-CH 60V 18A 8SOIC
FDS7066N7
MOSFET N-CH 30V 23A 8SO
AOTF12T50PL
MOSFET N-CH 500V 12A TO220-3F
