رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDT86113LZ
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDT86113LZ-DG
وصف:
MOSFET N-CH 100V 3.3A SOT223-4
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 3.3A (Tc) 2.2W (Ta) Surface Mount SOT-223-4
المخزون:
43059 قطع جديدة أصلية في المخزون
12849674
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDT86113LZ المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
3.3A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
100mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
6.8 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
315 pF @ 50 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.2W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
SOT-223-4
العبوة / العلبة
TO-261-4, TO-261AA
رقم المنتج الأساسي
FDT86113
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
4,000
اسماء اخرى
FDT86113LZDKR
FDT86113LZCT
FDT86113LZ-DG
FDT86113LZTR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FDP5800
MOSFET N-CH 60V 14A/80A TO220-3
FDC365P
MOSFET P-CH 35V 4.3A SUPERSOT6
FDWS5360L-F085
MOSFET N-CH 60V 60A POWER56
